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 光伏、光熱及低壓設(shè)備檢測(cè)項(xiàng)目報(bào)價(jià)???解決方案???檢測(cè)周期???樣品要求?  | 
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本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了絕緣油擊穿電壓的測(cè)定方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)定40℃粘度不大于350 mm2/s的各種絕緣油,適用于未使用過的絕緣油的交接試驗(yàn),也適用于設(shè)備監(jiān)測(cè)和保養(yǎng)時(shí)對(duì)試樣狀況的評(píng)定。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型的測(cè)試方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅、鍺非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型的測(cè)試,其他非本征半導(dǎo)體材料可參照本標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試。本標(biāo)準(zhǔn)方法能保證對(duì)均勻的同一導(dǎo)電類型的材料測(cè)得可靠結(jié)果;對(duì)于導(dǎo)電類型不均勻的材料,可在其表面上測(cè)出不同導(dǎo)電類型區(qū)域。本標(biāo)準(zhǔn)不適用于分層結(jié)構(gòu)材料(如外延片)導(dǎo)電類型的測(cè)試。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了采用紅外光譜法測(cè)定硅單晶晶體中間隙氧含量的方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于室溫電阻率大于0.1 Ω?cm的N型硅單晶和室溫電阻率大于0.5 Ω?cm的P型硅單晶中間隙氧含量的測(cè)定。以常溫紅外設(shè)備測(cè)試時(shí),氧含量(原子數(shù))測(cè)試范圍從1×10<上標(biāo)16> cm<上標(biāo)-3>到硅中間隙氧的大固溶度;以低溫紅外設(shè)備測(cè)試時(shí),氧含量(原子數(shù))的測(cè)試范圍從0.5×10<上標(biāo)15> cm<上標(biāo)-3>到硅中間隙氧的大固溶度。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽電池(包括單體、組件、板、子方陣、方陣)型號(hào)命名方法。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于同質(zhì)結(jié)、異質(zhì)結(jié)、肖特基勢(shì)壘及光電化學(xué)型的太陽電池。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽光伏能原系統(tǒng)術(shù)語。其中包括:一般術(shù)語,光電轉(zhuǎn)換和光伏、光譜特性術(shù)語,組件、方陣 和系統(tǒng)術(shù)語,標(biāo)定和測(cè)試術(shù)語以及工藝術(shù)語等五部分。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于太陽光伏能源系統(tǒng)。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了建筑玻璃可見光透射比、可見光反射比、太陽光輻射通量、太陽光直接透射比、太陽光直接反射比、太陽光直接吸收比、太陽能總透射比、向室內(nèi)側(cè)的二次熱傳遞系數(shù)、遮陽系數(shù)、光熱比、紫外線透射比、輻射率、太陽紅外熱能總透射比及有關(guān)窗玻璃參數(shù)的測(cè)定方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于單層玻璃和多層窗玻璃等透明材料。
本部分規(guī)定了電工術(shù)語中的基本術(shù)語。本部分適用于標(biāo)準(zhǔn)制修訂、編制技術(shù)文件、編寫和翻譯技術(shù)資料及教材或書刊,供從事電工工作的科研、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、使用、教學(xué)及出版等有關(guān)部門的人員使用。
GB/T 2900的本部分界定了半導(dǎo)體技術(shù)、半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和半導(dǎo)體類型的通用術(shù)語。
GBT 3859的本部分規(guī)定了使用可控和(或)不可控電子閥器件的所有半導(dǎo)體電力變流器和半導(dǎo)體電力開關(guān)的性能。電子閥器件主要有半導(dǎo)體器件,包括不可控器件(即整流二極管)和可控器件(即各種晶閘管和功率晶體管)。可控器件可反向阻斷或反向?qū)?可借助電流、電壓或光控制。假設(shè)非雙穩(wěn)器件在開關(guān)狀態(tài)下工作。本部分主要從總體上規(guī)定對(duì)變流器的基本要求,以及適用于把交流電變換為直流電或把直流電變換為交流電的電網(wǎng)換相變流器的要求。假如其他類型的電力電子變流器尚無產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn),本部分的內(nèi)容也適用。這些特定的要求適用于進(jìn)行功率變換、換相(例如:半導(dǎo)體自換相變流器)或特殊用途(例如:直流電動(dòng)機(jī)傳動(dòng)用半導(dǎo)體變流器 )的半導(dǎo)體電力變流器,或已知特性的組合(例如:電傳動(dòng)機(jī)車車輛用直接直流變流器)。本部分適用于未被專用產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)涵蓋或特殊性能未被專用產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)涵蓋的所有電力變流器。電力變流器的專用產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)參考本部分。
本部分給出GB/T 3859.1涵蓋的基本要求規(guī)范在不同情況下的應(yīng)用導(dǎo)則,以使GB/T 3859.1中的規(guī)定以可控的形態(tài)適應(yīng)于特殊應(yīng)用。為便于使用GB/T 3859.1,在技術(shù)關(guān)鍵點(diǎn)處給出了背景信息。本部分主要涵蓋電網(wǎng)換相變流器。就現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)不可能提供必要的資料而言,本部分本身不是規(guī)范(除非涉及某些輔助部件)。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了多晶硅中基磷含量的檢驗(yàn)方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于在硅芯上沉積生長的多晶硅棒中基磷含量(原子數(shù))的測(cè)定,測(cè)定范圍為0.01×10<上標(biāo)13> cm<上標(biāo)-3>~500×10<上標(biāo)13> cm<上標(biāo)-3>。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于額定電壓不超過72.5 kV,借助外殼防護(hù)的電氣設(shè)備的防護(hù)分級(jí)。本標(biāo)準(zhǔn)的目的如下:a) 規(guī)定電氣設(shè)備下述內(nèi)容的外殼防護(hù)等級(jí):1) 對(duì)人體觸及外殼內(nèi)的危險(xiǎn)部件的防護(hù);2) 對(duì)固體異物進(jìn)入外殼內(nèi)設(shè)備的防護(hù);3) 對(duì)水進(jìn)入外殼內(nèi)對(duì)設(shè)備造成有害影響的防護(hù)。b) 防護(hù)等級(jí)的標(biāo)識(shí)。c) 各防護(hù)等級(jí)標(biāo)識(shí)的要求。d) 按本標(biāo)準(zhǔn)的要求對(duì)外殼作驗(yàn)證試驗(yàn)。各類產(chǎn)品引用外殼防護(hù)等級(jí)的程度和方式,以及采用何種外殼,留待產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)決定,對(duì)具體的防護(hù)等級(jí)所采用的試驗(yàn)應(yīng)符合本標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定,必要時(shí),在有關(guān)產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)中可增加補(bǔ)充要求。可在有關(guān)產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)中作具體規(guī)定的細(xì)則參見附錄B。對(duì)特殊型式的設(shè)備,產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)可以規(guī)定不同的要求,但至少要保證相同的安全水平。本標(biāo)準(zhǔn)僅考慮在各方面都符合有關(guān)產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的外殼,在正常使用條件下,外殼的材料和工藝應(yīng)保證達(dá)到所需要的防護(hù)等級(jí)。如果某類設(shè)備滿足試驗(yàn)一般要求而且所選擇的防護(hù)等級(jí)適用于該設(shè)備型式,則本標(biāo)準(zhǔn)也適用于該型式設(shè)備的空外殼。有關(guān)機(jī)械損壞、銹蝕、腐蝕性溶劑(如切削液)、霉菌、蟲害、太陽輻射、結(jié)冰、潮濕(如凝露引起的)、爆炸性氣體等外部影響或環(huán)境條件對(duì)外殼和殼內(nèi)設(shè)備破壞的防護(hù)措施以及防止與外殼外部危險(xiǎn)運(yùn)動(dòng)部件(如風(fēng)扇)的接觸由有關(guān)產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定。不與外殼連接的隔板以及專門為人身安全設(shè)置的阻擋物,不看作外殼的一部分,本標(biāo)準(zhǔn)不予研究。
本文件規(guī)定了太陽能集熱器(以下簡稱集熱器)的耐壓、標(biāo)準(zhǔn)滯止溫度、空曬、外熱沖擊、內(nèi)熱沖擊、淋雨、耐凍、機(jī)械荷載、耐撞擊、熱性能和壓力降試驗(yàn)方法。本文件適用于液體工質(zhì)集熱器和光伏光熱復(fù)合型太陽能集熱器的實(shí)驗(yàn)室和現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)。本文件不適用于儲(chǔ)熱器與集熱器為一體的儲(chǔ)熱式太陽能集熱器,也不適用于無透明蓋板的太陽能集熱器。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了敏感元器件的術(shù)語及定義,包括熱(溫)敏、光敏、壓敏、濕敏、氣敏、磁敏、力敏、離子敏、生物敏、放射線敏和纖維光學(xué)敏感元器件11個(gè)部分。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于敏感元器件的生產(chǎn)、使用、科研和教學(xué)等方面,作為統(tǒng)一技術(shù)用語的依據(jù)。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電子管基本術(shù)語和定義、與電子管結(jié)構(gòu)相關(guān)的術(shù)語和定義、與電子管類別相關(guān)的術(shù)語和定義、與電子管參數(shù)特性相關(guān)的術(shù)語和定義。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了全社會(huì)經(jīng)濟(jì)活動(dòng)的分類與代碼。本標(biāo)準(zhǔn)適用于在統(tǒng)計(jì)、計(jì)劃、財(cái)政、稅收、工商等宏觀管理中,對(duì)經(jīng)濟(jì)活動(dòng)的分類,并用于信息處理和信息交換。
GB 5226的本部分適用于電氣和電子設(shè)備與機(jī)械系統(tǒng),包括以協(xié)同方式在一起工作的一組機(jī)械,但不包括系統(tǒng)更高層次的方面(例:系統(tǒng)之間的通信)?! ”静糠挚蓱?yīng)用于額定電壓高于1000Va.c.或1500Vd.c.。但不超過36kV和額定頻率不超過200Hz的情況下工作的設(shè)備或設(shè)備的部件,對(duì)較高的電壓或頻率,需滿足特殊要求。 在本部分中“高壓設(shè)備”一詞也覆蓋了作為再高壓下工作的設(shè)備整體中部分的低壓設(shè)備。除非特別注明,本部分中的技術(shù)條件主要適用于高壓下工作的部分。這些技術(shù)條件引用GB 5226.1-2002,亦適用于高壓設(shè)備。 本部分所覆蓋的電氣設(shè)備是從電源到機(jī)械電氣設(shè)備的連接點(diǎn)處開始的(見5.1)。 本部分是一個(gè)應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn),不限制或約束技術(shù)進(jìn)步。它不包括所有技術(shù)要求(如保護(hù)、聯(lián)鎖或控制),這些要求是其它標(biāo)準(zhǔn)或規(guī)則為保障人身免受非電氣傷害所需要的。有特殊要求的各種類型機(jī)械對(duì)安全性可提出特殊要求?! ”静糠志唧w適用于,但不限于3.26所定義的機(jī)械。(附錄A列出的機(jī)械,其電氣設(shè)備屬本部分范圍) 下述機(jī)械的電氣設(shè)備可以附加特殊技術(shù)要求: ——露天使用(例:在戶外或其他的保護(hù)性建筑之外)的機(jī)械; ——使用、處理和生產(chǎn)易爆炸的物質(zhì)(例:油漆或鋸屑)的機(jī)械; ——在易燃和易爆的環(huán)境中使用的機(jī)械; ——在使用或加工某種物質(zhì)時(shí)存在著特殊危險(xiǎn)的機(jī)械; ——礦山機(jī)械。 直接用電能作為加工手段的動(dòng)力電路不屬于本部分的范圍。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了測(cè)定氧化鈹陶瓷材料導(dǎo)熱系數(shù)(熱導(dǎo)率)的棒軸法和激光閃爍法。本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的棒軸法適用于測(cè)量氧化鈹陶瓷溫度在40 ℃~150 ℃范圍內(nèi)的熱導(dǎo)率值。此方法也適用于在上述溫度范圍內(nèi)測(cè)量其他的低熱導(dǎo)率陶瓷材料或陶瓷基復(fù)合材料熱導(dǎo)率。本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的激光閃射法適用于在室溫至1 400 ℃范圍內(nèi)測(cè)量孔隙率小于10%的氧化鈹陶瓷材料的熱擴(kuò)散系數(shù)及其熱導(dǎo)率。此方法也適用于在上述溫度范圍內(nèi)的測(cè)量熱擴(kuò)散系數(shù)在10<上標(biāo)-7> m<上標(biāo)2>/s~10<上標(biāo)-3> m<上標(biāo)2>/s間的、完全均質(zhì)的、對(duì)能量脈沖不透明的其他固體材料的熱擴(kuò)散系數(shù)及熱導(dǎo)率;不適于測(cè)量非均勻或各向異性的材料。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了香料煙的分級(jí)技術(shù)要求和檢驗(yàn)規(guī)則。本標(biāo)準(zhǔn)適用于正常生產(chǎn)、調(diào)制以及加工后的香料煙。以文字標(biāo)準(zhǔn)為主,輔以實(shí)物樣品。是分級(jí)、收購、加工、交接的依據(jù)。出口供貨以實(shí)物樣品為依據(jù)。
GB/T 6115的本部分規(guī)定了串聯(lián)應(yīng)用于輸電線路的晶閘管控制的串聯(lián)電容器(簡稱TCSC)裝置的設(shè)計(jì)和試驗(yàn)。本部分適用于TCSC的晶閘管閥、電容器、電抗器的額定參數(shù)以及TCSC控制特性、保護(hù)特性、冷卻系統(tǒng)和系統(tǒng)運(yùn)行。
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