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α、β表面污染檢測(cè)項(xiàng)目報(bào)價(jià)???解決方案???檢測(cè)周期???樣品要求? |
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本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了工業(yè)鍋爐運(yùn)行時(shí)給水、鍋水、蒸汽回水以及補(bǔ)給水的水質(zhì)要求。本標(biāo)準(zhǔn)適用于額定出口蒸汽壓力小于3.8 MPa,且以水為介質(zhì)的固定式蒸汽鍋爐、汽水兩用鍋爐和熱水鍋爐。本標(biāo)準(zhǔn)不適用于鋁材制造的鍋爐。
本部分規(guī)定了電觸頭、熱雙金屬、電熱合金、導(dǎo)電合金、電阻合金、熱電偶合金及磁性材料的專用電工術(shù)語(yǔ)。本部分適用于電觸頭、熱雙金屬、電熱合金、導(dǎo)電合金、電阻合金、熱電偶合金及磁性材料等產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)制定、編制技術(shù)文件,編寫和翻譯手冊(cè)、教材、專著等書刊,以及對(duì)外貿(mào)易、技術(shù)交流等。
本部分規(guī)定了電氣絕緣固體、液體和氣體的通用術(shù)語(yǔ)。包括絕緣材料與系統(tǒng)的電性能、物理性能、化學(xué)性能、材料工藝、特定絕緣產(chǎn)品等術(shù)語(yǔ)。本部分適用于電氣絕緣固體、液體和氣體。
本部分規(guī)定了電工術(shù)語(yǔ)中的電器附件術(shù)語(yǔ)和定義。 本部分適用于電工技術(shù)中涉及電器附件的所有科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域。
本部分規(guī)定了核儀器技術(shù)領(lǐng)域用術(shù)語(yǔ)和定義。本部分適用于涉及核儀器:物理現(xiàn)象、基本概念、儀器、系統(tǒng)、設(shè)備和探測(cè)器技術(shù)領(lǐng)域。
本標(biāo)準(zhǔn)提供了表面處理的一般類型及與此有關(guān)的術(shù)語(yǔ)和定義。本標(biāo)準(zhǔn)注重金屬加工領(lǐng)域巾表面處理技術(shù)的實(shí)際應(yīng)用。本標(biāo)準(zhǔn)不包括搪瓷和釉瓷、熱噴涂、熱浸鍍鋅的術(shù)語(yǔ)和定義,這些術(shù)語(yǔ)和定義已收錄于詞匯表或正在制定的相關(guān)詞匯表中。大多數(shù)情況下,本標(biāo)準(zhǔn)不包括在表面處理和其他技術(shù)領(lǐng)域有相同含義的基本術(shù)語(yǔ),也不包括化學(xué)、物理手冊(cè)和詞典中定義的基礎(chǔ)術(shù)語(yǔ)。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了多晶硅中基磷含量的檢驗(yàn)方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于在硅芯上沉積生長(zhǎng)的多晶硅棒中基磷含量(原子數(shù))的測(cè)定,測(cè)定范圍為0.01×10<上標(biāo)13> cm<上標(biāo)-3>~500×10<上標(biāo)13> cm<上標(biāo)-3>。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了多晶硅中基硼含量的測(cè)試方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于在硅芯上沉積生長(zhǎng)的多晶硅棒中基硼含量的測(cè)定?;鸷?原子數(shù))測(cè)定范圍為0.01×10<上標(biāo)13> cm<上標(biāo)-3>~5×10<上標(biāo)15> cm<上標(biāo)-3>。
本標(biāo)準(zhǔn)以測(cè)試性能為基礎(chǔ)建立了密封放射源分級(jí)體系,并對(duì)源的性能、要求、檢驗(yàn)方法、標(biāo)識(shí)和證書等作了規(guī)定。 本標(biāo)準(zhǔn)為密封放射源產(chǎn)生者提供了評(píng)價(jià)其產(chǎn)品在使用中安全性的系列檢驗(yàn),同時(shí)也便于使用者選擇滿足使用要求的放射源類型,特別是對(duì)關(guān)注防止因放射性物質(zhì)泄漏而造成電離輻射照射的場(chǎng)所選擇 放射源類型時(shí)能提供幫助。本標(biāo)準(zhǔn)也可為管理部門提供指導(dǎo)。 這些檢驗(yàn)分為幾組,例如,包括暴露于異常高溫和低溫檢驗(yàn)以及各種機(jī)械檢驗(yàn)。每項(xiàng)檢驗(yàn)適用于不同的嚴(yán)格程度。檢驗(yàn)結(jié)果是否通過(guò),取決于密封放射源、內(nèi)容物是否泄漏。 表4給出了對(duì)密封放射源、主要典型使用中的每種應(yīng)用和建議的檢驗(yàn)級(jí)別。廣義來(lái)說(shuō),這些檢驗(yàn)是對(duì)各種使用的低要求,在一些特別惡劣條件下使用時(shí)(見附錄C)所須考慮的因素列于4.2。 本標(biāo)準(zhǔn)不按源的設(shè)計(jì)、制造方法或發(fā)出輻射的刻度方法分級(jí),本標(biāo)準(zhǔn)不包括核反應(yīng)堆內(nèi)的放射性物質(zhì)(含密封源)和燃料元件。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了敏感元器件的術(shù)語(yǔ)及定義,包括熱(溫)敏、光敏、壓敏、濕敏、氣敏、磁敏、力敏、離子敏、生物敏、放射線敏和纖維光學(xué)敏感元器件11個(gè)部分。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于敏感元器件的生產(chǎn)、使用、科研和教學(xué)等方面,作為統(tǒng)一技術(shù)用語(yǔ)的依據(jù)。
本標(biāo)準(zhǔn)涉及印制板的設(shè)計(jì)和使用,而與制造方法無(wú)關(guān)。本標(biāo)準(zhǔn)就印制板的設(shè)計(jì)和使用對(duì)印制板設(shè)計(jì)者和使用者提出建議。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了印制電路用剛性覆銅箔層壓板(以下簡(jiǎn)稱為覆銅板)的外觀、尺寸、物理和化學(xué)性能、機(jī)械性能、電性能、環(huán)境性能的試驗(yàn)方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于印制電路用剛性覆銅箔層壓板。
GB/T 4835的本部分適用于在應(yīng)急情況下測(cè)量由外部β、X和γ輻射產(chǎn)生的周圍和/或定向劑量當(dāng)量(率)的便攜式或移動(dòng)式劑量當(dāng)量(率)儀和/或監(jiān)測(cè)儀。它直接適用于在應(yīng)急情況下使用的劑量當(dāng)量(率)儀,該儀器用于確定能量高達(dá)10 MeV的外部β和/或X及γ輻射產(chǎn)生的劑量當(dāng)量或劑量當(dāng)量率。本部分的目的是規(guī)定用于在應(yīng)急情況下確定周圍和/或定向劑量當(dāng)量(率)的劑量當(dāng)量(率)儀的設(shè)計(jì)要求和性能特性。除了經(jīng)過(guò)本部分的修改和列出的新條款,GB/T 4835.1-2012中的所有條款均適用于應(yīng)急目的的儀器。本部分既沒有規(guī)定需要哪種儀器,也不考慮儀器的數(shù)量或特定位置。本部分沒有為特定的事故類型確定使用的儀器。儀器的額定范圍以及儀器設(shè)計(jì)所考慮的放射和非放射條件要充分覆蓋由事故分析確定的和/或由相關(guān)管理部門或有資質(zhì)人員規(guī)定的事故和事故后條件。預(yù)期這些事故將包括劑量當(dāng)量(率)和極端的環(huán)境(例如,溫度和濕度)。對(duì)于測(cè)量低于本部分規(guī)定的小可探測(cè)劑量率水平的劑量當(dāng)量率儀,其技術(shù)要求見GB/T 4835.1-2012。在這種儀器也用于應(yīng)急測(cè)量時(shí),還應(yīng)滿足本部分的要求。雖然本部分規(guī)定了主要用于應(yīng)急情況的儀器要求,這些儀器也可用于平時(shí)的現(xiàn)場(chǎng)測(cè)量。如果儀器配置一個(gè)遠(yuǎn)距離的探測(cè)器并提供一個(gè)測(cè)量運(yùn)行人員所在位置劑量當(dāng)量率的附加探測(cè)器,要求應(yīng)適用于這兩種探測(cè)器。
GB/T 4960的本部分規(guī)定了核燃料與核燃料循環(huán)領(lǐng)域有關(guān)的術(shù)語(yǔ)及其定義。本部分適用于核燃料與核燃料循環(huán)領(lǐng)域內(nèi)編寫標(biāo)準(zhǔn)和技術(shù)文件、翻譯文獻(xiàn)及國(guó)內(nèi)技術(shù)交流等。
GB/T 4960的本部分規(guī)定了核輻射探測(cè)器、通用核儀器、核設(shè)施儀表和控制、輻射防護(hù)儀器及核輻射應(yīng)用儀器等核儀器的基本術(shù)語(yǔ)和定義。本部分適用于有關(guān)核儀器標(biāo)準(zhǔn)、合同、報(bào)告和技術(shù)規(guī)格書等技術(shù)文件的編寫,文獻(xiàn)翻譯以及技術(shù)交流等。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了食品中17種2,3,7,8-取代的多氯代二苯并二噁英(PCDDs)、多氯代二苯并呋喃(PCDFs)和12種二噁英樣多氯聯(lián)苯(DL PCBs)含量及二噁英毒性當(dāng)量(TEQ)的測(cè)定方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于附錄A的表A.1中規(guī)定的食品中17種2,3,7,8-取代多氯代二苯并二噁英及多氯代二苯并呋喃(PCDD/Fs)和12種DL-PCBs含量及其TEQ的測(cè)定。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的試驗(yàn)方法,在TC48范圍內(nèi)的電子設(shè)備用機(jī)電元件的詳細(xì)規(guī)范要求時(shí),應(yīng)給以采用。 類似元件的詳細(xì)規(guī)范要求時(shí),也可以采用。
本規(guī)定適用于加速粒子的單核能量低于100MeV的粒子加速器(不包括醫(yī)療用加速器和象密封型中子管之類的可移動(dòng)加速器)設(shè)施。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于直接測(cè)量或直接探測(cè)發(fā)射a和/或β核素的表面污染測(cè)量?jī)x和監(jiān)測(cè)儀,其至少包括: —探測(cè)裝置(包括計(jì)數(shù)管、閃爍探測(cè)器或半導(dǎo)體探測(cè)器等),它可以固定連接或由軟電纜連接,或者組成一單獨(dú)的裝置; —測(cè)量裝置 一些測(cè)量?jī)x和監(jiān)測(cè)儀由探測(cè)裝置和測(cè)量裝置組成,在能將探測(cè)裝置與儀器分開的情況下,可單獨(dú)使用探測(cè)裝置。為了滿足本標(biāo)準(zhǔn),要求所有包括探測(cè)裝置和測(cè)量裝置的儀器符合本標(biāo)準(zhǔn)要求,或探測(cè)裝置和測(cè)量裝置分別符合本標(biāo)準(zhǔn)相關(guān)部分要求 注:對(duì)于后一種使用方式經(jīng)證明符合本標(biāo)準(zhǔn)的要求,但是不能就此推斷其他特殊儀器的組合配置也符合標(biāo)準(zhǔn)。后一種使用方式,允許用戶使用不同制造廠生產(chǎn)的裝置進(jìn)行組合配置 本標(biāo)準(zhǔn)適用于: —a表面污染測(cè)量?jī)x; —a表面污染監(jiān)測(cè)儀; —β表面污染測(cè)量?jī)x; —β表面污染監(jiān)測(cè)儀; —a/β表面污染測(cè)量?jī)x; —a/β表面污染監(jiān)測(cè)儀。 后兩種設(shè)備能夠同時(shí)確定a和β污染,并分別顯示測(cè)量結(jié)果: —a(β,a/β)表面污染測(cè)量?jī)x:包括一個(gè)或多個(gè)輻射探測(cè)器和相關(guān)裝置或基本功能單元。在檢查表面污染時(shí),用來(lái)測(cè)量a(β、a/β)表面發(fā)射率; —a(β,a/β)表面污染監(jiān)測(cè)儀。 本標(biāo)準(zhǔn)也適用于那些有特殊用途的儀器和為測(cè)量特殊性質(zhì)表面而設(shè)計(jì)的儀器。但標(biāo)準(zhǔn)的某些要求需根據(jù)這些儀器的特殊要求進(jìn)行修改或補(bǔ)充 如果一個(gè)儀器能實(shí)現(xiàn)多種功能,則儀器需滿足這些不同功能的所有要求。如果儀器以一種功能為主,兼有其他功能,則儀器需滿足主要功能的所有要求,并盡可能滿足其他功能的要求。 本標(biāo)準(zhǔn)不適用于測(cè)量或探測(cè)大能量小于60 keV β粒子的輻射監(jiān)測(cè)儀或測(cè)量?jī)x 本標(biāo)準(zhǔn)的目的是規(guī)定標(biāo)準(zhǔn)要求和給出一些適用方法的實(shí)例,還規(guī)定了一般特性、一般試驗(yàn)條件和方法、輻射特性、電氣安全、環(huán)境特性以及a、β及a/β污染測(cè)量?jī)x和監(jiān)測(cè)儀的合格證書
本標(biāo)準(zhǔn)提出了在工頻(45 Hz~65 Hz)下,用液體污染物和斜面試樣,通過(guò)耐電痕化和蝕損測(cè)量評(píng)定在嚴(yán)酷環(huán)境條件下使用電氣絕緣材料的兩種試驗(yàn)方法。方法1:恒定電痕化電壓法;方法2:逐級(jí)電痕化電壓法。