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MOS場(chǎng)效應(yīng)管檢測(cè)

發(fā)布日期: 2024-06-21 17:34:53 - 更新時(shí)間:2024年06月29日 15:22

MOS場(chǎng)效應(yīng)管檢測(cè)項(xiàng)目報(bào)價(jià)???解決方案???檢測(cè)周期???樣品要求?

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GB/T 4079-1994用于電離輻射探測(cè)器的放大器和電荷靈敏前置放大器的測(cè)試方法

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電離輻射探測(cè)器用的主放大器(成形放大器)和電荷靈敏前置放大器的測(cè)試方法。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體探測(cè)器、氣體脈沖電離室、正比探測(cè)器用的主放大器和電荷靈敏前置放大器,也適用于閃爍探測(cè)器用的主放大器。

GB/T 7665-2005傳感器通用術(shù)語

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了傳感器的產(chǎn)品名稱和性能特性術(shù)語。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于傳感器的生產(chǎn)、科學(xué)研究、教學(xué)以及其他有關(guān)技術(shù)領(lǐng)域。

GB/T 11499-2001半導(dǎo)體分立器件文字符號(hào)

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體分立器件主要的文字符號(hào)。本標(biāo)準(zhǔn)適用于編寫半導(dǎo)體分立器件有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和有關(guān)技術(shù)資料。

GB/T 11685-2003半導(dǎo)體X射線探測(cè)器系統(tǒng)和半導(dǎo)體X射線能譜儀的測(cè)量方法

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體X射線探測(cè)器系統(tǒng)和半導(dǎo)體X射線能譜儀主要特性的測(cè)量方法。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體X射線探測(cè)器系統(tǒng)和半導(dǎo)體X射線能譜儀主要性能的測(cè)量。

GB/T 12668.8-2017調(diào)速電氣傳動(dòng)系統(tǒng) 第8部分:功率接口的電壓規(guī)范

GB/T 12668的本部分給出了確定電氣傳動(dòng)系統(tǒng)(PDS)功率接口電壓的方法。本部分適用于確定變流器以及電動(dòng)機(jī)端子的相對(duì)相電壓(線電壓)和相對(duì)地電壓(相電壓)。在本部分的第一版中,這些指導(dǎo)意見僅限于三相輸出的下列拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):——電壓源型的間接變流器,網(wǎng)側(cè)變流器為單相二極管整流器;——電壓源型的間接變流器,網(wǎng)側(cè)變流器為三相二極管整流器;——電壓源型的間接變流器,網(wǎng)側(cè)變流器為三相有源整流器。本部分所指的逆變器都是脈沖寬度調(diào)制型的,每個(gè)輸出電壓脈沖的寬度是根據(jù)實(shí)際需求的電壓變化的。本部分不包括其他拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的電壓規(guī)范。安全方面的要求在GB/T 12668的第5部分中給出,不包含在本部分中。電磁兼容方面的要求在GB/T 12668的第3部分中給出,也不包含在本部分中。

GB/T 16640-2008輻射加工劑量測(cè)量系統(tǒng)的選擇和校準(zhǔn)導(dǎo)則

1.1 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了Y射線、X射線和電子束輻射加工中用于測(cè)量吸收劑量的劑量測(cè)量系統(tǒng)的選擇和校準(zhǔn)的基本原則。本標(biāo)準(zhǔn)給出了用于校準(zhǔn)和商用輻射加工中質(zhì)量保證的劑量測(cè)量系統(tǒng)的類型、吸收劑量的表述方法和劑量測(cè)量的不確定度評(píng)價(jià)。分析儀器的校準(zhǔn)見相關(guān)的劑量測(cè)量系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)。1.2 本標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量吸收劑量的上限為100O KGy;輻射能量范圍為0.lMeV~5OMeV(光子和電子)。1.3 本標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)與特定的劑量學(xué)系統(tǒng)的具體應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)結(jié)合使用。1.4 本標(biāo)準(zhǔn)不包括中子或重帶電粒子的輻射加工劑量測(cè)量。1.5 本標(biāo)準(zhǔn)不涉及與使用者相關(guān)的安全問題(如果存在)。本標(biāo)準(zhǔn)的使用者負(fù)責(zé)建立適用的安全和健康標(biāo)準(zhǔn),并在使用前確定其適用的限制范圍。

GB/T 17940-2000半導(dǎo)體器件 集成電路 第3部分:模擬集成電路

本標(biāo)準(zhǔn)給出了下列模擬集成電路分類型的標(biāo)準(zhǔn):----運(yùn)算放大器(雙輸入和單輸入);----用于無線電通訊的音頻放大器、視頻放大器和多路放大器;----射頻放大器和中頻放大器;----電壓調(diào)整器和電流調(diào)整器;----模擬信號(hào)開關(guān)電路;----開關(guān)電源控制電路;----雙音多頻振蕩器電路。

GB/T 18028-2010中國(guó)盲文數(shù)學(xué)、物理、化學(xué)符號(hào)

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了盲文數(shù)學(xué)、物理、化學(xué)符號(hào)的寫法和使用規(guī)則。本標(biāo)準(zhǔn)適用于盲文教育、出版及有關(guān)的各個(gè)領(lǐng)域。

GB/T 20245.2-2013電化學(xué)分析器性能表示 第2部分:pH值

GB/T 20245的本部分目的是:--規(guī)定了制造商描述用于測(cè)定水溶液pH值的分析器、傳感器單元和電子單元的術(shù)語、定義和要求;--建立這類分析器、傳感器單元和電子單元的性能試驗(yàn);--為ISO 9001、ISO 9002和ISO 9003質(zhì)量管理標(biāo)準(zhǔn)的應(yīng)用提供基礎(chǔ)文件。

GB/T 33905.3-2017智能傳感器 第3部分:術(shù)語

GB/T 33905.3的本部分界定了智能傳感器通用術(shù)語、分類術(shù)語、制造技術(shù)術(shù)語、功能術(shù)語、材料術(shù)語和性能特性及相關(guān)術(shù)語。本部分適用于智能傳感器的生產(chǎn)、科學(xué)研究、教學(xué)以及其他有關(guān)技術(shù)領(lǐng)域。對(duì)于某些使用微機(jī)電系統(tǒng)部件構(gòu)成的智能傳感器(如化學(xué)分析儀、流量計(jì)等)以及預(yù)期在特殊環(huán)境(如爆炸氣體環(huán)境)使用的智能傳感器,還需參照其他相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。

GB/T 35011-2018微波電路 壓控振蕩器測(cè)試方法

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了壓控振蕩器(以下簡(jiǎn)稱“振蕩器”)主要電參數(shù)的測(cè)試方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于雙極晶體管(BJT)和場(chǎng)效應(yīng)管(FET)制造的壓控振蕩器,其他電壓控制輸出頻率的振蕩器可以參照使用。

GB 50523-2010電子工業(yè)職業(yè)安全衛(wèi)生設(shè)計(jì)規(guī)范

本規(guī)范適用于電子工業(yè)新建、改建和擴(kuò)建的職業(yè)安全衛(wèi)生設(shè)計(jì)。

YB 4408-2014高爐TRT系統(tǒng)電氣設(shè)備安裝工程施工驗(yàn)收規(guī)范

本規(guī)范適用于高爐TRT系統(tǒng)電氣設(shè)備安裝工程施工驗(yàn)收。

HB 7262.2-1995航空產(chǎn)品電裝工藝.電子元器件的焊接

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了航空產(chǎn)品中、低頻電路電子元器件的非自動(dòng)焊接技術(shù)要求和方法。n  本標(biāo)準(zhǔn)適用于航空產(chǎn)品電子元器件焊接。

HB 7500-1997空空導(dǎo)彈可靠性設(shè)計(jì)準(zhǔn)則

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了空空導(dǎo)彈可靠性設(shè)計(jì)準(zhǔn)則的一般要求和詳細(xì)要求。n  本標(biāo)準(zhǔn)適用于空空導(dǎo)彈(以下簡(jiǎn)稱導(dǎo)彈)的可靠性設(shè)計(jì),是制定型號(hào)可靠性設(shè)計(jì)準(zhǔn)則的主要依據(jù)。具體型號(hào)可靠性設(shè)計(jì)準(zhǔn)則可根據(jù)需要對(duì)本標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行適當(dāng)剪裁。

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以上是中析研究所MOS場(chǎng)效應(yīng)管檢測(cè)檢測(cè)服務(wù)的相關(guān)介紹,如有其他檢測(cè)需求可咨詢?cè)诰€工程師進(jìn)行了解!

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