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400-635-0567中文標(biāo)準(zhǔn)名稱:碳化硅單晶片平整度測(cè)試方法
英文標(biāo)準(zhǔn)名稱:Test methods for flatness of monocrystalline silicon carbide wafers
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):現(xiàn)行
中國標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào):(CCS)H21
標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào):(ICS)77.040
發(fā)布日期:2015-12-10
實(shí)施日期:2017-01-01
主管部門:標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
歸口單位:半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
北京天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司 、中國科學(xué)院物理研究所 。
陳小龍 、鄭紅軍 、張瑋 、郭鈺 。
20120289-T-469 碳化硅單晶片平整度測(cè)試方法
20091221-T-469 碳化硅單晶片直徑測(cè)試方法
GB/T 30866-2014 碳化硅單晶片直徑測(cè)試方法
SJ/T 11501-2015 碳化硅單晶晶型的測(cè)試方法
SJ/T 11500-2015 碳化硅單晶晶向的測(cè)試方法
20091225-T-469 碳化硅單晶片厚度和總厚度變化測(cè)試方法
GB/T 30867-2014 碳化硅單晶片厚度和總厚度變化測(cè)試方法 碳化硅單晶 碳化硅單晶位錯(cuò)密度的測(cè)試方法 半絕緣碳化硅單晶的電阻率非接觸測(cè)試方法
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