GB/T 37051-2018 太陽能級(jí)多晶硅錠、硅片晶體缺陷密度測(cè)定方法

GB/T 37051-2018 太陽能級(jí)多晶硅錠、硅片晶體缺陷密度測(cè)定方法

　　Test method for determination of crystal defect density in PV silicon ingot and wafer

　　標(biāo)準(zhǔn) 推薦性 現(xiàn)行英文版計(jì)劃標(biāo)準(zhǔn)《太陽能級(jí)多晶硅錠、硅片晶體缺陷密度測(cè)定方法》由TC203(半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì))歸口上報(bào)及執(zhí)行，主管部門為標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)。

GB/T 37051-2018主要起草單位

英利集團(tuán)有限公司 、中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院 、江西賽維LDK太陽能高科技有限公司 、泰州中來光電科技有限公司 、晉能清潔能源科技有限公司 、鎮(zhèn)江仁德新能源科技有限公司 、天津英利新能源有限公司 。

GB/T 37051-2018主要起草人

李鋒 、李英葉 、段青春 、張偉 、吳翠姑 、馮亞彬 、裴會(huì)川 、程小娟 、唐駿 。

GB/T 37051-2018相近標(biāo)準(zhǔn)(計(jì)劃)

20141879-T-469 太陽能級(jí)多晶硅錠、硅片晶體缺陷密度測(cè)定方法
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